DRAM

SRAM实现一位的存储需要6个MOS管，相当的贵。DRAM使用电容代替锁存器，以读写速度为代价换取了成本和集成度，其存储单元由一个MOS管和一个电容组成

• 读操作时，行选择$X$与刷新$R$以及读写使能 $\overline{WE}$ 都被置为高电平，T导通，电容与位线连接，一路通过刷新缓冲器对自身刷新，一路到达$D_0$输出
• 写操作时，只有行选择$X$被置为高电平，T导通，$D_1$的数据进入电容器
• 仅刷新时，行选择$X$与刷新$R$以及读写使能 $\overline{WE}$ 都被置为高电平，不过列选择$Y$（未画出）为低电平，读取的信号不输出，是为仅刷新

DRAM结构

添加了行列地址寄存器，采样行列地址分时送入可以减少引线数目

字长扩展

字长扩展即让一个地址对应更多位的数据。将多个RAM芯片并联在一起即可实现，就像这样

字数扩展

字数扩展即增加地址数目。将地址高位接到译码器上，译码器的输出接到各RAM芯片的片选信号上，即可扩展地址位数