SRAM

SRAM中的每个存储单元相当于一个锁存器，它由存储阵列，地址译码器和输入输出控制电路三部分组成

其中$A_0\sim A_{n-1}$是$n$根地址线，一个特定的地址保存着$m$位二进制数，输入输入由$m$根双向数据线$I/O_0\sim I/O_{m-1}$负责。$OE$是输出使能，$WE$是写使能。另有片选信号$CE$，只有激活片选信号时SRAM才能进行IO操作，否则三态缓冲器都为高阻态

SRAM存储单元

SRAM存储单元由6个MOS管组成

另外有两个MOS管控制数据线，它们是多个存储单元共用的。其中$T_1\sim T_4$形成两个CMOS反相器，进而构成一个锁存器，$T_5T_6$控制行选择线，$T_7T_8$控制列选择线

同步SRAM

上一节的SRAM没有时钟信号，可以在任意时刻进行读写。加入了时钟的SRAM称为同步SRAM，除输出使能外，所有的输入都在时钟上升沿被采样

值得注意的是丛发模式，当ADV被置为1时，地址寄存器不再接受新的地址，地址的低位由丛发控制器自行产生，从而可以读写多个连续地址的数据