MOS管

MOS管可以由载流子分为NMOS和PMOS

• NMOS：电子型，电路流入漏极
• PMOS：空穴型，电流流出漏极

按照栅极电压$V_{GS}=0$时导电沟道是否存在，将MOS管分为耗尽型和增强型

• 增强型：$V_{GS}=0$时不存在导电沟道，MOS管关断
• 耗尽型：$V_{GS}=0$时存在导电沟道，MOS管导通

N沟道增强型MOS管

N沟道增强型MOS管的实物图如下

将其简化为符号

$P$衬底与源极和漏极形成了两个PN结，相当于两个相反的二级管，正常情况下源极和漏极是不导通的

当$V_{GA}$大于临界值（正电压）时，出现N型导电沟道，源极s和漏极d导通。$V_{GS}>0$意味着电流由漏极d流向源极s

N沟道耗尽型MOS管

N沟道耗尽型MOS管的实物图如下

将其简化为符号

$P$衬底也与源极和漏极形成了两个相反的二级管。与增强型不同的是，在$V_{GS}=0$时源极s和漏极d导通，它大于临界值（正电压）时关断

P沟道增强型MOS管与P沟道耗尽型MOS管

PMOS的衬底是N型半导体，源极和漏极是P型半导体，这意味着两个二极管方向不同

此外，PMOS的临界电压是负的，电流由源极流向漏极

衬底调制效应（体效应）

为了保证导电沟道与衬底的隔离，需要沟道与衬底之间的PN结反偏。这意味着要求NMOS的$V_{BS}\leq0$，PMOS的$V_{BS}\geq 0$，即NMOS衬底应接在最低电位，PMOS的衬底应接在最高电位

不过如果$|V_{BS}|$太大，使得耗尽层加厚，那么就会让开启沟道的临界电压增大