放大放大我的

1 BJT 3

1.1 二极管 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1.1 PN 结 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1.2 V-A 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1.3 二极管模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1.4 稳压二极管 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.2 BJT 原理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.3 BJT 有三种接法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.3.1 共基极 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.3.2 共射极 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.3.3 共集电极 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

1.4 BJT 静态工作点 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

1.5 BJT 小信号模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

1.6 交流小信号模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.7 常见的放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

1.7.1 静态工作点的维持: 基极分压式射极偏置电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

1.7.2 共射极放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

1.7.3 共集电极放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

1.7.4 共基极放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

1.8 组合放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

1.8.1 共射-共基放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

1.8.2 共集-共集放大电路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2 JFET 19

2.1 JFET 原理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

2.2 JFET 小信号模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

3 MOSFET 21

3.1 MOSFET 原理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

1 BJT

1.1 二极管

1.1.1 PN 结

PN 节的电流由

P 流向 N 为正偏

, 由 N 流向 P 为反偏. 二极管就是一个 PN 结

1.1.2 V-A 特性

二极管的 V-A 特性为

𝑖

𝐷

= 𝐼

𝑆



𝑒

𝑣

𝐷

/𝑉

𝑇

− 1



其中 𝑖

𝐷

为二极管的电流,𝑣

𝐷

为二极管的电压;𝐼

𝑆

为二极管的饱和电流,𝑉

𝑇

为二极管的热电压, 约为 26𝑚𝑉,

它们都是常数

当反向电压足够大时, 二极管会击穿. 最高反向电压为 𝑉

𝐵𝑅

, 最高工作反向电压为 𝑉

𝐵𝑅

的一半. 未击穿时

有反向电流 𝐼

𝑅

1.1.3 二极管模型

理想模型: 正向导通时电压为 0, 反向截止时电流为 0

恒压降模型: 正向导通时电压为 𝑉

𝛾

, 反向截止时

电流为 0

对于硅管, 门槛电压为 0.7𝑉

对于锗管, 门槛电压为 0.2𝑉

折线模型: 正向导通时等效为一个电阻

硅管的电阻为 𝑟

𝐷

= 200Ω

小信号模型: 先确定

直流静态工作点

, 在

交流小信号

下将二极管等效为一个电阻. 由导数可以得到电阻的

阻值

𝑟

𝐷

𝑉

𝑇

𝐼

𝐷

26𝑚𝑉

𝐼

𝐷

(𝑚 𝐴)

1.1.4 稳压二极管

二极管反向击穿后电压稳定, 在规定的反向工作电流 𝐼

𝑍

下, 稳定电压为 𝑉

𝑍

. 由于需要二极管击穿, 反向工

作电流有最小值 −𝐼

𝑍𝑚𝑖𝑛

; 最大稳定工作电流记为 𝐼

𝑍𝑚𝑎𝑥

稳压管动态电阻

𝑟

𝑍

Δ𝑉

𝑍

Δ𝐼

𝑍

这个电阻很小. 有电压稳定系数

𝛼

𝑍

Δ𝑉

𝑍

𝑉

𝑍

表示在一定电流变化下, 电压的变化率

1.2 BJT 原理

BJT 由三个掺杂不同的半导体组成, 分别为发射区, 基区, 集电区; 对应三个电极: 发射极, 基极, 集电极

根据各区半导体 𝑁, 𝑃 类型不同, 可以分为 NPN 型和 PNP 型

各区域掺杂浓度如下

发射区 > 集电区 ≫ 基区

BJT 工作原理图如下

工作时

发射结正偏, 集电结反偏

, 则发射极电流 𝐼

𝐸

与集电极电流 𝐼

𝐶

之比为常数

𝛼 =

𝐼

𝐶

𝐼

𝐸

那么基极电流与集电极电流之比也为常数

𝛽 =

𝐼

𝐶

𝐼

𝐵

由于 𝐼

𝐶

= 𝐼

𝐸

+ 𝐼

𝐵

, 两个系数有关系

𝛽 =

𝛼

1 − 𝛼

𝛼 很接近 1, 所以 𝛽 很大

1.3 BJT 有三种接法

1.3.1 共基极

共基极指的是以基极和集电极的电压为输入电压, 发射极和集电极的电压为输出电压. 由于基极是公用的,

所以称为共基极

该方法利用电流的 𝛼 比例, 使两侧电流近似相等, 通过电阻将电流转换为电压从而实现放大, 因而只有电

压放大, 没有电流放大, 且由于电流相等, 要求驱动源有较大功率

1.3.2 共射极

共射极指的是以基极和发射极的电压为输入电压, 发射极和集电极的电压为输出电压. 由于发射极是公用

的, 所以称为共射极

该方法利用电流的 𝛽 比例, 两侧电流相差 𝛽 倍, 因而既有电压放大, 也有电流放大, 且由于电流放大较多,

对驱动源功率要求较小

1.3.3 共集电极

与共射极类似只是电流方向相反

1.4 BJT 静态工作点

通过直流通路可以确定 BJT 的静态工作点, 即确定 𝑉

𝐶𝐸

, 𝑉

𝐵𝐸

, 𝐼

𝐶

, 𝐼

𝐵

, 𝐼

𝐸

的值

BJT 工作在放大区时, 要求

发射结正偏, 集电结反偏

, 即发射结加正偏压, 集电结加反偏压

一般

硅管 𝑉

𝐵𝐸

= 0.7𝑉, 锗管 𝑉

𝐵𝐸

= 0.2𝑉

, 结合 𝛽 可以得到静态工作点

BJT 的 V-A 特性曲线可以画为

三个区域分别为

饱和区, 放大区, 截止区

1. 饱和区:𝑉

𝐶𝐸

很小, 集电结不能反偏,𝐼

𝐶

受电压控制明显

2. 截止区:𝐼

𝐵

< 0, 即发射结未正偏, 电流为 0

3. 放大区:𝑉

𝐶𝐸

适中, 发射结正偏, 集电结反偏,𝐼

𝐶

受 𝐼

𝐵

控制

在静态工作点上叠加小信号, 若静态工作点不合适会导致失真, 失真有两种:

1. 饱和失真: 小信号太大, 使得放大后期望的 𝐼

𝐶

太大, 发射结分走了太多电压, 导致集电结未能反偏,

电流不受控

2. 截止失真: 小信号太小, 使得发射结未正偏, 电流为 0, 信号被截止

小信号使得 BJT 工作在饱和区就是饱和失真, 工作在截止区就是截止失真

可以用图解法得到放大的波形. 先通过 𝐼

𝐵

得到期望的 𝐼

𝐶

, 再通过 BJT 的 V-A 特性得到 𝑉

𝐶𝐸

1.5 BJT 小信号模型

首先确定静态工作点 𝑄, 在 𝑄 点附近做小信号模型. 下面的讨论中电压电流指的都是交流小信号

实际上认为 BJT 的基极和集电极不连通, 通路有如下两条:

1. 从基极到发射极, 电阻 𝑟

𝑐𝑒

2. 从集电极到发射极, 电阻 𝑟

𝑏𝑒

考虑到电流放大, 认为 CE 为一个受控电流源, 其电流为 𝛽𝑖

𝑏

𝑟

𝑏𝑒

由两部分组成: 基体电阻和正偏 PN 结电阻.𝑟

𝑏𝑒

的表达式为

𝑟

𝑏𝑒

= 200Ω + (1 + 𝛽)

26𝑚𝑉

𝐼

𝐸𝑄

(𝑚 𝐴)

𝑟

𝑐𝑒

一般很大, 认为它可以忽略. 但是方程解不出来的时候要加上

BJT 的小信号模型如下

1.6 交流小信号模型

含有 BJT 的电路中, 若确定了直流静态工作点, 考察交流小信号输入时, 可以将所有直流电源去除, 即将

所有的电压源短路, 电流源开路, 再将交流信号输入

换言之, 在画交流小信号模型时, 将所有的直流电压视为接地, 所有的直流电流源视为开路

输入电阻: 交流通路下输入电压与输入电流的比值

输出电阻: 交流通路下, 没有输入信号时输出电压与输出电流的比值

1.7 常见的放大电路

1.7.1 静态工作点的维持: 基极分压式射极偏置电路

电路如下这是为了温度变化时, 静态工作点不变.

温度上升时,𝐼

𝐶

会变大

, 那么

𝐼

𝐸

也变大, 则 𝑉

𝐸

增大, 使得 𝑉

𝐵𝐸

减小, 则 𝐼

𝐵

减小, 则 𝐼

𝐶

减小, 形成

负反馈

静态工作点可以如下计算

1. 𝑉

𝐵𝑄

由 𝑅

, 𝑅

分压得到

2. 由 𝑉

𝐵𝑄

得到 𝐼

, 𝐼

, 相减得到 𝐼

𝐵𝑄

3. 𝐼

𝐶𝑄

= 𝛽𝐼

𝐵𝑄

4. 𝐼

𝐸𝑄

= 𝐼

𝐶𝑄

+ 𝐼

𝐵𝑄

5. 𝑉

𝐸𝑄

= 𝐼

𝐸𝑄

𝑅

𝐸

, 𝑉

𝐶𝑄

= 𝑉

𝐶𝐶

− 𝐼

𝐶𝑄

𝑅

𝐶

1.7.2 共射极放大电路

在基极分压式射极偏置电路的基础上, 加上交流信号输入和输出, 得到如下电路

其中 𝑣

𝑠

与 𝑅

𝑠

一并作为输入信号,𝑅

𝐿

作为负载电阻, 负责抓取输出信号可以画出它的小信号模型

计算电压增益时,𝑣

𝑜

只是电压值, 并没有电流. 电流从 𝑅

𝐿

流过

考察输出回路, 流经两个电阻的电流为 𝛽𝑖

𝑏

, 则电压满足(注意正负)

𝑣

𝑜

= −𝛽𝑖

𝑏

(𝑅

𝐶

||𝑅

𝐿

)

再考察输入回路, 电流由三部分组成:𝑅

𝑏1

电流,𝑅

𝑏2

电流,𝑟

𝑏𝑒

+ 𝑅

𝑒

电流, 而它们是并联关系, 则电压满足

𝑣

𝑖

= 𝑖

𝑏

𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑖

𝑏

𝑅

𝑒

相除得到电压增益

𝐴

𝑣

𝑜

𝑣

𝑖

= −

𝛽(𝑅

𝐶

||𝑅

𝐿

)

𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑅

𝑒

考察输入电阻. 对输入回路











𝑖

= 𝑖

𝑅

+ 𝑖

𝑏

𝑣

𝑖

= 𝑖

𝑅

(𝑅

𝑏1

||𝑅

𝑏2

) = 𝑖

𝑏

𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑖

𝑏

𝑅

𝑒

得到输入电阻

𝑅

𝑖

𝑣

𝑖

= 懒得解了

也可以以一种简单的方式得到输入电阻. 注意到 𝑅

𝑏1

, 𝑅

𝑏2

并联, 希望将 BJT 支路也视为一个并联的电阻.

由于 BJT 支路电压降为

[𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑅

𝑒

]𝑖

𝑏

可以将其视作一个阻值为 𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑅

𝑒

的电阻, 则输入电阻为

𝑅

𝑖

= 𝑅

𝑏1

||𝑅

𝑏2

|| [𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑅

𝑒

]

考察输出电阻.

将负载电阻 𝑅

𝐿

去除使其开路, 再将输入电压短路

, 在输出段加测试电压, 得到

注意此处需要加上 𝑟

𝑐𝑒

, 因为电流源两侧的电压爱是几是几, 不加上 𝑟

𝑐𝑒

就无法求解

输出电阻是 BJT 支路的电阻与 𝑅

𝑐

并联, 不妨叫它 𝑅

′

𝑜

, 在 BJT 两侧分别使用基尔霍夫转圈圈得到











−(𝑅

𝑠

||𝑅

𝑏

)𝑖

𝑏

− 𝑟

𝑏𝑒

𝑖

𝑏

− 𝑖

𝑐

𝑅

𝑒

= 0

𝑣

𝑡

− (𝑖

𝑐

− 𝛽𝑖

𝑏

)𝑟

𝑐𝑒

− (𝑖

𝑐

+ 𝑖

𝑏

)𝑅

𝑒

= 0

解得

𝑅

′

𝑜

𝑣

𝑡

𝑖

𝑐

= 𝑟

𝑐𝑒



1 +

𝛽𝑅

𝑒

𝑟

𝑏𝑒

+ (𝑅

𝑠

||𝑅

𝑏

) + 𝑅

𝑒



那么 𝑅

′

𝑜

> 𝑟

𝑐𝑒

, 由于 𝑟

𝑐𝑒

都大到可以忽略了,𝑅

′

𝑜

没有理由不忽略, 因而认为输出电阻就是 𝑅

𝑐

𝑅

𝑜

= 𝑅

𝑐

1.7.3 共集电极放大电路

在共射极放大电路的基础上, 偏压仅保留 𝑅

𝑏1

, 加上交流信号输入和输出, 得到如下电路

先求解它的直流通路

直流通路画出如下两条支路分别用电压转圈圈得到











𝑉

𝐶𝐶

− 𝐼

𝐵𝑄

𝑅

𝑏

− 𝑉

𝐵𝐸𝑄

− 𝐼

𝐸𝑄

𝑅

𝑒

= 0

𝑉

𝐶𝐶

− 𝑉

𝐶𝐸𝑄

− 𝐼

𝐸𝑄

𝑅

𝑒

= 0

有电流关系

𝐼

𝐸𝑄

= (1 + 𝛽)𝐼

𝐵𝑄

可以由此解得静态工作点

交流小信号模型如下

通过计算不难得到电压增益

𝐴

𝑣

𝑜

𝑣

𝑖

= 𝑖

𝑏

(1 + 𝛽)𝑅

′

𝐿

(1 + 𝛽)𝑅

′

𝐿

𝑟

𝑏𝑒

+ (1 + 𝛽)𝑅

′

𝐿

≈

𝛽𝑅

′

𝐿

𝑟

𝑏𝑒

+ 𝛽𝑅

′

𝐿

< 1

其中 𝑅

′

𝐿

是 𝑅

𝐿

与 𝑅

𝑒

并联后的电阻. 一般而言,𝛽𝑅

′

𝐿

≫ 𝑟

𝑏𝑒

, 所以 𝐴

𝑣

≈ 1. 电压增益很接近 1, 称其为电压跟

随器

不难得到输入电阻和输出电阻

𝑅

𝑖

= 𝑅

𝑏

||𝛽𝑅

′

𝐿

, 𝑅

𝑜

= 𝑅

𝑒

𝑅

′

𝑠

+ 𝑟

𝑏𝑒

1 + 𝛽

≈

𝑅

′

𝑠

+ 𝑟

𝑏𝑒

𝛽

其中

𝑅

′

𝑠

= 𝑅

𝑠

||𝑅

𝑏

, 𝑅

′

𝐿

= 𝑅

𝐿

||𝑅

𝑒

它的输入电阻大, 输出电阻小, 适合抓取信号并传输

1.7.4 共基极放大电路

共基极与共射极电路相似, 静态工作点计算相同

交流小信号模型如下

可以得到电压增益

𝐴

𝑣

𝛽𝑅

′

𝐿

𝑟

𝑏𝑒

其中

𝑅

′

𝐿

𝑅

𝐿

𝑅

𝑐

不难得到输入电阻和输出电阻

𝑅

𝑖

= 𝑅

𝑒

𝑟

𝑏𝑒

1 + 𝛽

, 𝑅

𝑜

= 𝑅

𝑐

1.8 组合放大电路

1.8.1 共射-共基放大电路

组合放大电路总的

电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积

前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻

它的交流通路如下

共射极与共基极的电压增益分别为

𝐴

𝑣1

= −

𝛽

𝑅

′

𝐿1

𝑟

𝑏𝑒1

, 𝐴

𝑣2

𝛽

𝑅

′

𝐿

𝑟

𝑏𝑒2

其中 𝑅

′

𝐿1

为共基极的输入电阻, 为 (注意这里少了很多电阻)

𝑅

′

𝐿1

𝑟

𝑏𝑒2

1 + 𝛽

相乘得到电压增益

𝐴

𝑣

= −

𝛽

𝑟

𝑏𝑒2

𝑟

𝑏𝑒1

(1 + 𝛽

)

𝛽

(𝑅

𝐿

||𝑅

𝑐2

)

𝑟

𝑏𝑒2

由于 𝛽

很大, 因而可以约去 (1 + 𝛽

) 与 𝛽

, 得到

𝐴

𝑣

≈ −

𝛽

(𝑅

𝐿

||𝑅

𝑐2

)

𝑟

𝑏𝑒1

输入阻抗就是第一级共射极的输入阻抗

𝑅

𝑖

= 𝑅

𝑏1

||𝑅

𝑏2

||𝑟

𝑏𝑒1

输出阻抗就是第二级共基极的输出阻抗

𝑅

𝑜

= 𝑅

𝑐2

1.8.2 共集-共集放大电路

它的交流通路如下

实际上这样连接的两个三极管可以等效为一个三极管,𝛽 变为两个 𝛽 的乘积

2 JFET

2.1 JFET 原理

JFET 的符号和结构如图

根据中间导电沟道的掺杂类型, 可以分为 N 沟道型和 P 沟道型, 进而将 JFET 分为 N 沟道 JFET 和 P

沟道 JFET. 图中的符号是 N-JFET 的符号, 而 P-JFET 的箭头方向相反

工作时控制 𝑉

𝐺𝑆

使得 JFET 的

PN 结反偏

. 若沟道电压 𝑉

𝐷𝑆

= 0, 当 𝑉

𝐺𝑆

增大到一定程度时, 导电沟道被

夹断, 此时的电压称为夹断电压 𝑉

𝑃

. 对于 N-JFE,𝑉

𝑃

< 0

当 𝑉

𝐷𝑆

上升时, 会使 PN 结加深反偏, 耗尽层增加. 直到 d 极附近出现夹断, 但是由于 g 极还没有夹断, 所

以这种状态是如断 , 称为预夹断. 处于预夹断状态时,𝑉

𝐷𝑆

升高只会使沟道电阻增大, 而不会改变沟道电流

𝐼

𝐷

𝑉

𝐷𝑆

= 𝑉

𝑃

⇒ 𝑉

𝐺𝑆

− 𝑉

𝐷𝑆

= 𝑉

𝑃

也就是说,d 级已经夹断, 但是 s 级还没有夹断, 也就是

如断

. 这种状态叫做恒流区或者饱和区

在饱和区, 沟道电流受 𝑉

𝐺𝑆

控制, 有 V-A 特性

𝐼

𝐷

= 𝐼

𝐷𝑆𝑆



1 −

𝑉

𝐺𝑆

𝑉

𝑃



其中 𝐼

𝐷𝑆𝑆

是 𝑉

𝐺𝑆

= 0 时的沟道电流, 称为饱和漏极电流

• 在 I 区时,𝑉

𝐷𝑆

太小, 预夹断还没有出现, 沟道电阻很小, 电流上升快

• 在 II 区时, 出现预夹断, 电流与 𝑉

𝐷𝑆

无关, 受 𝑉

𝐺𝑆

控制

• 在 III 区时,𝑉

𝐺𝑆

太大, 沟道已经被夹断, 电流为零

2.2 JFET 小信号模型

由于 JFET 的栅极没有电流通过, 只是利用其电压, 因而小信号模型中栅极是开路的

其中 𝑔

𝑚

可以由求导得到

𝑔

𝑚

= −

2𝐼

𝐷𝑆𝑆

𝑉

𝑃



1 −

𝑉

𝐺𝑆

𝑉

𝑃



实际上作为 PN 结,gs 之间也不是完全断路的, 而是有一个很大的电阻. 一般 𝑅

𝑔𝑠

> 10𝑀Ω

对于如下的放大实例

计算电压增益时可以不考虑 𝑟

𝑑𝑠

. 那么就有输出电压

𝑣

𝑜

= −𝑔

𝑚

𝑣

𝑔𝑠

𝑅

𝑑

又由于输入电压有

𝑣

𝑖

= 𝑣

𝑔𝑠

+ 𝑔

𝑚

𝑣

𝑔𝑠

𝑅

相除得到电压增益

𝐴

𝑣

𝑜

𝑣

𝑖

= −

𝑔

𝑚

𝑅

𝑑

1 + 𝑔

𝑚

𝑅

输入电阻是由坐标那一坨电阻和 g 支路电阻并联组成的.g 支路的电阻有

𝑅

′

𝑣

𝑖

𝑔

𝑣

𝑔𝑠

+ (𝑣

𝑔𝑠

/𝑟

𝑔𝑠

+ 𝑔

𝑚

𝑣

𝑔𝑠

)𝑅

𝑣

𝑔𝑠

/𝑟

𝑔𝑠

= 𝑟

𝑔𝑠

+ (1 + 𝑟

𝑔𝑠

𝑔

𝑚

)𝑅

这是非常大的, 因而认为输入电阻

𝑅

𝑖

= 𝑅

𝑔3

+ 𝑅

𝑔1

||𝑅

𝑔2

对于输出电阻, 由于 𝑟

𝑑𝑠

也是非常大的, 因而认为输出电阻

𝑅

𝑜

= 𝑅

𝑑

3 MOSFET

3.1 MOSFET 原理

MOSFET 的符号和结构如图

MOSFET 可以按导电沟道的掺杂类型分为N 沟道型和 P 沟道型, 按未加栅极电压时有无导电沟道分

为增强型和耗尽型. 图中的符号是 N 沟道增强型 MOSFET, 它的箭头指向 PN 结的正偏方向 (虽然这

里并没有 PN 结, 但是它可以指示是 N 沟道型还是 P 沟道型)

对于 N 沟道增强型 MOSFET, 当 𝑉

𝐺𝑆

< 𝑉

𝑇

时, 没有导电沟道, 电流为 0. 当 𝑉

𝐺𝑆

> 𝑉

𝑇

时,P 型衬底中的

电子被吸引到栅极下方, 形成 N 型感生导电沟道.𝑉

𝐷𝑆

加压时将有电流产生

𝑉

𝐺𝑆

增大时, 导电沟道厚度增加.𝑉

𝑇

称为开启电压

当 𝑉

𝐺𝑆

> 𝑉

𝑇

时, 若增大 𝑉

𝐷𝑆

,GD 两级电位差减小. 当 𝑉

𝐺𝐷

< 𝑉

𝑇

时,D 处导电沟道被夹断, 但是 G 处导电

沟道还没有夹断, 这种状态称为预夹断, 这也是

如断

𝑉

𝐺𝐷

= 𝑉

𝐺𝑆

− 𝑉

𝐷𝑆

= 𝑉

𝑇

与 JFET 类似, 出现预夹断后, 电流与 𝑉

𝐷𝑆

无关, 受 𝑉

𝐺𝑆

控制.𝑉

𝐷𝑆

增大只会使沟道电阻增大, 而不会改变

沟道电流 𝐼

𝐷

. 有 V-A 特性

𝐼

𝐷

= 𝐾

𝑛

[2(𝑉

𝐺𝑆

− 𝑉

𝑇

)𝑉

𝐷𝑆

− 𝑉

𝐷𝑆

]

其中 𝐾

𝑛

为电导常数